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SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠，导入晶圆键合技术
贺玉亭
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配图：SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠，导入晶圆键合技术
新闻导读
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IT之家 8 月 7 日消息，SK海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。
SK 海力士宣称V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。SK 海力士计划 2027H1 量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘。
SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32DP 2CH 型号堆叠了 32 个 NAND Die，是首款类似封装的 TLC；而 4 通道封装版本面积仅 13.5mm × 12.5mm，比传统的 14mm × 18mm 更为小巧。
网友观点
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